RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
73
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
73
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
1468
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F3-19200C10-8GBZHD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link