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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
73
左右 49% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
73
读取速度,GB/s
13.9
13.4
写入速度,GB/s
8.6
7.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
1468
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
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