RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
37
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3757
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link