RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
37
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3557
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link