RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
37
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3851
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link