RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
92
Wokół strony -268% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3683
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link