RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
19
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
92
Около -268% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.9
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
25
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
19.0
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
3683
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link