RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
92
Wokół strony -229% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3454
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link