RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
92
Wokół strony -229% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3706
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link