RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
77
92
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
77
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
11.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
1517
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9LZ 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link