RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
77
92
Около -19% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.9
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
77
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
11.9
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
1517
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link