RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
92
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
46
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2973
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link