Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 16.1

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

46 92

Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи

15.1 1,266.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 6400

Около 4 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

92 46
Скорость чтения, Гб/сек

2,105.4 16.1
Скорость записи, Гб/сек

1,266.1 15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 25600

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

339 2973

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB

Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB

Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB

модули RAM

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB

Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

модули RAM

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB

Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB

модули RAM