RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
77
Около -126% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
10.6
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2237
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link