RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
77
Wokół strony -126% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
10.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2237
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link