RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
50
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2509
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link