RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
50
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2509
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston 99U5293-016.A00LF 1GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link