RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
50
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2509
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Mushkin 991586 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link