RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Note globale
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
50
Autour de -108% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.8
1,457.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,757.3
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,457.4
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
557
2509
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link