RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
92
Wokół strony -254% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2455
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link