RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
92
Wokół strony -197% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3422
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link