RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
92
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
54
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2264
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link