RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
92
Wokół strony -241% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3418
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link