RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
92
Около -241% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.7
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
27
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
18.9
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
3418
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link