RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
92
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
48
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
12.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3061
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link