RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
12.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
48
92
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.6
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
48
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
12.3
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
3061
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link