RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
92
Wokół strony -384% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
19
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3192
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link