RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
92
Около -384% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
19
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
20.0
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
3192
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link