A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB против Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB

Средняя оценка

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB

Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 43

Около 30% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.7 14.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.3 9.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33% выше полоса пропускания

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR3
Задержка в PassMark, нс

30 43
Скорость чтения, Гб/сек

16.7 14.9
Скорость записи, Гб/сек

12.3 9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

17000 12800

Other

Описание

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3106 2506

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB

модули RAM

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB

I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB

Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB

Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB

модули RAM

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB

Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB

Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB

Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB

модули RAM

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB

модули RAM