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A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Comparez
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB vs Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
43
Autour de 30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR3
Latence dans PassMark, ns
30
43
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
12.3
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
12800
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3106
2506
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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