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A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB vs Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
43
Por volta de 30% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR3
Latência em PassMark, ns
30
43
Velocidade de leitura, GB/s
16.7
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
12.3
9.6
Largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3106
2506
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
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