RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
92
Wokół strony -241% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3040
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link