RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
92
Wokół strony -241% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3040
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link