RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
92
Wokół strony -229% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3637
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link