RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
92
Около -229% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.3
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
28
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
18.8
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
3637
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link