RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
92
Wokół strony -300% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2631
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-096.A01LF 2GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link