RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
92
Около -300% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.9
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
16.6
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
2631
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link