RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
92
Wokół strony -268% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2516
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link