RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
92
Wokół strony -207% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3575
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link