RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
92
Wokół strony -207% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3575
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link