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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
比较
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
总分
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
总分
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
92
左右 -207% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.8
1,266.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
92
30
读取速度,GB/s
2,105.4
17.5
写入速度,GB/s
1,266.1
14.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
339
3575
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
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