RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
92
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.7
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.2
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
39
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
8.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
6.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
1842
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link