RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
92
Wokół strony -318% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2633
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link