RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
92
Wokół strony -179% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3224
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link