RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
92
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.5
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.6
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
44
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
1660
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link