RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
44
92
Rund um -109% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.5
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.6
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
44
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
8.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
5.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
1660
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link