RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
58
92
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
58
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
1998
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link