RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
92
Wokół strony -156% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
36
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2466
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link