RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
92
Wokół strony -300% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2575
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link