RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2031
3713
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link