RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2083
2939
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB88D9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link