RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
77
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.1
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.3
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
40
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1764
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link