RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
36
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
2708
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link