RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Porównaj
AMD R538G1601U2S 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
AMD R538G1601U2S 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R538G1601U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
35
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R538G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
19
35
Prędkość odczytu, GB/s
18.4
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.3
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3189
1998
AMD R538G1601U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link